امروزه پیشرفته‌ترین شرکت‌های تولید نیمه‌هادی‌ها و IDM ها در جهان از این نرم افزار برای مدل‌سازی CMOS های سیلیکونی، دو قطبی و کامپوزیت‌های گالیم آرسنید (GaAs) و نیترید گالیم (GaN) و بسیاری ار دستگاه‌های دیگر استفاده می‌کنند.
More
گالیم آرسنید (GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیم‌رسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است. گالیم آرسنید در تولید افزاره‌هایی مانند مایکروویو ،دیودهای نورگسیلفروسرخ، دیودهای لیزری و سلول‌های خورشیدی استفاده می‌شود. گالیم آرسنید اغلب به عنوان یک ماده بستر برای رشد رونشستی (epitaxial growth) در دیگر نیم‌رساناهای III
More
2013年4月1日 بررسی ساختار و بهینه سازی سلول خورشیدی گالیوم آرسناید با استفاده از نر افزار سیلواکو. April 2013. Conference: همایش ملی انرژی های نو و پاک. Authors: Meraj
More
سیلیکون مناسب‌ترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga 6 As 4 H 10 و Ga 6 As 3 SiH 10 ، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمول‌بندی نظریة تابعی چگالی (DFT) و ...
More
گالیم آرسنید یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیکا است. این ماده که نخستین بار در اواخر دهه‌ی 1920 میلادی به دست آمد ترکیبی از عنصرهای گروه‌های 3 و 5 جدول تناوبی عناصر است. با استفاده از گالیوم آرسناید، بسیاری از اسباب‌ها و قطعات الکترونیکی قادرند
More
در دیود لیزر ها غالباً به جای نیمه هادی سیلیکون، از ترکیب آلیاژ آلومینیوم ( aluminum) و گالیم آرسنید (gallium arsenide) یا ایندیوم گالیوم آرسنید فسفرید (indium gallium arsenide phosphide) استفاده می‌کنند.
More
2021年11月8日 با استفاده از گالیم آرسنید در ساختارهای نانوسیم، محققان راهی جدید برای ساخت سلول‌های خورشیدی پیدا کرده‌اند که با توجه به وزن و ابعاد سلول خورشیدی می‌توان تا ده برابر کارایی را افزایش ...
More
2021年2月20日 سیلیکون مناسب‌ترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga6As4H10 و Ga6As3SiH10، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمول‌بندی نظریة تابعی چگالی (DFT) و با تقریب
More
با توجه به داده-های گرد‌آوری شده از مطالعه میدانی در خصوص نحوه انجام عملیات زراعی در مورد این محصول، مقادیر انرژی‌های نهاده و ستاده محاسبه و کارایی آنها مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج نشان ...
More
